Универсальная ячейка Pt/SnOₓ/TiN с униполярным переключением, многоуровневым хранением и эмуляцией синаптической пластичности — основа суверенных вычислительных архитектур будущего России.

Мемристор на основе оксида олова для нейроморфных и периферийных вычислений

ПОГОВОРИТЕ С ЭКСПЕРТОМ

Универсальный мемристор Pt/SnOₓ/TiN — всё в одном устройстве

Мы разработали мемристор на основе оксида олова (SnOₓ) между электродами Pt и TiN, который объединяет пять ключевых функций в одном двухконтактном элементе:

Униполярное резистивное переключение

управление одним типом напряжения, упрощённая схемотехника

01
Многоуровневая ячейка (MLC)

до 23 стабильных состояний сопротивления через контроль тока и смещения

02
Эмуляция синаптической пластичности

потенциация, депрессия, ППФ, обучение и забывание

03
Кратковременная память (STM)

энергозависимое поведение, имитирующее биологические процессы

04
Периферийные вычисления

4-битная обработка данных прямо в ячейке памяти.
Это не просто память. Это вычислительный элемент нового поколения.

05

Где будет использоваться наша ReRAM-память?

Нейроморфные вычислительные системы

Мемристор Pt/SnOₓ/TiN точно эмулирует биологический синапс: линейное обновление весов, адаптация к частоте импульсов (SRDP), пластичность. Это позволяет создавать ИИ-системы с высокой энергоэффективностью и параллельной архитектурой, близкой к мозгу.

Периферийные (edge) вычисления

На одном мемристоре реализована 4-битная логика: данные генерируются, обрабатываются и хранятся локально. Это устраняет необходимость передачи в облако, снижает задержки, повышает безопасность и экономит энергию — идеально для IoT, автономных систем и промышленной автоматизации.

Высокоплотная энергонезависимая память

Благодаря многоуровневой ячейке (до 23 состояний) и стабильности переключения (CV < 0.16), наша технология обеспечивает рекордную плотность хранения при совместимости с CMOS ≥0.5 мкм и производстве на российском оборудовании.

Адаптивные ИИ-ускорители

Способность мемристора динамически изменять синаптический вес в ответ на частоту и амплитуду импульсов открывает путь к самообучающимся чипам, способным к lifelong learning и онлайн-адаптации в реальных условиях.

Защищённые и автономные системы

Высокая надёжность, отсутствие ионных нитей, воспроизводимость от ячейки к ячейке — всё это делает технологию пригодной для оборонки, космоса и критической инфраструктуры, где недопустимы сбои и деградация.

ReRAM на SnOₓ — стабильность, совместимость, суверенитет

Благодаря отсутствию проводящих нитей, ReRAM-ячейка на основе SnOₓ с электронной проводимостью демонстрирует предсказуемое и плавное переключение сопротивления, обусловленное объёмной миграцией дефектов в изолирующем слое.

высокую воспроизводимость характеристик
совместимость с CMOS-процессами ≥0,5 мкм
производство на существующем российском оборудовании
полную локализацию материалов и цикла

Почему традиционные вычисления уперлись в лимит?

Архитектуры фон Неймана не справляются с ростом требований к энергоэффективности, параллелизму и локальной обработке данных. Облачные модели создают узкие места: задержки, перегрузка сети, уязвимость данных.
Существующие решения памяти следующего поколения (MRAM, PcRAM, FRAM) либо не обеспечивают аналоговой гибкости, либо сложны в интеграции, либо несовместимы с CMOS.
Нужна новая парадигма — и она уже здесь

Научные результаты подтверждены экспериментально

Окно памяти: 22.5
Коэффициент вариации (HRS/LRS): 0.154 / 0.027
Многоуровневость: 12 состояний по напряжению, 23 — по току
Линейная потенциация/депрессия — 10 повторяющихся циклов без деградации
Эмуляция ППФ, SRDP, STM/LTM — соответствие биологическим моделям
4-битные периферийные вычисления — реализованы на одном мемристоре

Технологическое преимущество

Ненитевидный механизм переключения

постепенная миграция ионов кислорода по всему объёму слоя → стабильность, воспроизводимость, многоуровневость

Совместимость с CMOS

интеграция в существующие российские процессы (≥0.5 мкм)

Простота производства

осаждение методом распыления, материалы доступны в РФ

Униполярная работа

одно напряжение на запись/стирание → снижение сложности контроллера и энергопотребления

Резидент Сколково

доступ к инфраструктуре, грантам и индустриальным партнёрам

Дорожная карта

2025–2026

Прототип ReRAM-ячейки, патентование, валидация ВАХ

2027

Интеграция в CMOS-процесс ≥0,5 мкм, пилот с заказчиками

2028

Опытное производство, сертификация

2029–2030

Лицензирование технологии отечественным производителям

Контакты

Мы открыты к диалогу с промышленными заказчиками, инвесторами и технологическими партнёрами
Россия, 111141, Москва, 1-й проезд Перова поля, д. 11a, офис 11
ООО "ДЭМАР", ОГРН 1207700368072
+7(495) 507-42-82
hello@reramcore.ru

hello@reramcore.ru
ООО "ДЭМАР" ОРН 1127217 © 2025
Проект реализуется при участии:
АО «Зеленоградский нанотехнологический центр» (ЗНТЦ) — производственная база;
Фонд «Сколково»— грантовая и инфраструктурная поддержка.
Деятельность осуществляется в рамках Федерального проекта при грантовой поддержке "Фонда содействия инновациям"
Положение об организации обработки и обеспечении безопасности персональных данных

Управление файлами cookie

Настройки файлов cookie

Файлы cookie, необходимые для корректной работы сайта, всегда включены.
Другие файлы cookie настраиваются.

Основные файлы cookie

Всегда включен. Эти файлы cookie необходимы для того, чтобы вы могли пользоваться веб-сайтом и его функциями. Их нельзя отключить. Они устанавливаются в ответ на сделанные вами запросы, такие как настройка ваших предпочтений конфиденциальности, вход в систему или заполнение форм.

Аналитические файлы cookie

Disabled

Эти файлы cookie собирают информацию, чтобы помочь нам понять, как используются наши веб-сайты или насколько эффективны наши маркетинговые кампании, или чтобы помочь нам настроить наши веб-сайты для вас. Смотрите список аналитических файлов cookie, которые мы используем здесь.

Рекламные файлы cookie